برق,الکترونیک,مخابرات,دانلود,رایگان,پایان نامه,پروژه,مقاله,مقالات, تحقیق آماده, پاورپوینت,کارآموزی,ترجمه,ورد,شبکه توزیع,ماشین,الکتریکی,نوسانات,قدرت,موبایل,آنتن,شبیه سازی,بار,ترانسفورماتور,جریان هجومی, - بررسي تئوري ترانزيستور هاي MESFET شامل مراحل ساخت ، فيزيك الكترونيك و تحليل انتقال الكترون بصورت تئوري به روش مونت كارلو

فهرست مطالب: بررسي تئوري ترانزيستور هاي MESFET شامل مراحل ساخت ، فيزيك الكترونيك و تحليل انتقال الكترون بصورت تئوري به روش مونت كارلو

تاریخ ایجاد 1390/06/12 تعدادبرگ: 100 قیمت: 10000 تومان حجم فایل:3088 kb

تعدادمشاهده 3603

- مقدمه1
- ترانزيستورهاي اثر ميداني1
- ماسفت (MEFSET)2
فصل اول نيمه هادي GaAs
بخش 1-1 نيمه هادي GaAs 5
1-1-1 مقدمه5
2-1-1 خواص فيزيکي نيمه هادي GaAs 5
3-1-1 چگالي حامل9
1-1-3-1 خواص زير لايه ذاتي9
2-1-3-1 خواص سطحي11
3-1-3-1 چگالي حامل غير ذاتي13
4-1-1 حرکت حامل16
1-4-1-1 حالت ميدان ضعيف16
2-4-1-1 شرايط ميدان قوی18
بخش 2-1 جبران سازي در کريستال GaAs 21
بخش 3-1 مباني نظري MESFET 23
1-3-1 مقدمه23
2-3-1 پيوند فلز – نيمه هادي(شاتکي)23
بخش 4-1 مباني نظري ترانزيستور فلز – نيمه هادي MESFET 31
1-4-1 مقدمه31
2-4-1 اصول عملکرد34
فصل دوم مدل سيگنال کوچک MESFET
بخش 1-2 مدل سيگنال کوچک MESFET39
1-1-2 المانهاي غير ذاتي 40
2-1-2 المانهاي ذاتي 40
3-1-2 زمان ارسال ، (زمان تأخير ترنس کندوکتانس) 42
4-1-2 انتخاب مدل مناسب ترانزيستور42
5-1-2 محدوديت فرکانس بالا در ترانزيستور 42
بخش 2-2 بررسي رفتار نويز در ترانزيستورMESFET43
بخش 3-2 بدست آوردن پارامتر هاي ترانزيستور تنها با استفاده پارامترها پراکندگي46
- مقدمه46
بخش 4-2 محاسبه مدار معادل المانهاي غير ذاتي50
1-4-2 محاسبه سلفها و مقاومتهاي غير ذاتي 50
2-4-2 محاسبه خازنهاي غير ذاتي Cpd,Cpg 52
3-4-2 بدست آوردن مدار معادل ترانزيستور NE76000 53
با استفاده از پارامترهاي پراکندگي
فصل سوم روش مونت کارلو
بخش 1-3 مقدمه 56
بخش 2-3 روش تك ذره مونت كارلو (101)56
1-2-3 زمان حركت آزاد 57
2-2-3 انتخاب فرآيند پراكندگي58
3-2-3 تعيين وضعيت جديد بردار موج 59
1-3-2-3 پراكندگي از ناخالصي هاي يونيزه شده 60
2-3-2-3 پراكندگي از فونونهاي صوتي60
3-3-2-3 پراكندگي از فونونهاي نوري غير قطبي61
4-3-2-3 پراكندگي از فونهاي نوري قطبي62
5-3-2-3 پراكندگي الكترون-الكترون62
4-2-3 اصلاح دستگاه مختصات 63
5-2-3 اثرات غير سهمي بودن نوار انرژي64
بخش 3-3 روش دسته جمعي مونت كارلو (101)67
بخش 4-3 شبيه سازي مونت كارلو در ادوات نيمه هادي (101) 68
1-4-3 شرايط مرزي69
1-1-4-3 شرايط مرزي براي پتانسيل69
2-1-4-3 شرايط مرزي براي ذرات در روش دسته جمعي مونت کارلو70
2-4-3 گسسته سازي ناحيه شبيه سازي70
3-4-3 تعيين پله هاي زماني71
4-4-3 ابر ذره72
5-4-3 روش ذره – مش PM72
1-5-4-3 تخصيص ذرات به گره هاي مش 73
2-5-4-3 حل معادله پواسن76
3-5-4-3 روش هاي عددي حل معادله پواسن 78
- ضميمه 180
- ضميمه 281
فصل چهارم تاثير خواص مواد نيم رسانا و ساختار مسفت بر مشخصه هاي انتقال الکترون
در افزاره (شبيه سازي مونت کارلو)
- چکيده 84
بخش 1-4 مقدمه84
بخش 2-4 مسفت In0.53Ga0.47As86
بخش 3-4 ترانزيستور مسفت InP 91
بخش 4-4 ترانزيستور مسفت In0.53Ga0.47As با سورس InP94
بخش 5-4 نتيجه گيري95
- منابع98

Label

مقالات مرتبط